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电压进人到逻辑电平中将击穿集成电路
场H假定为平例1:假设个场E在100MHz时，在外壳内的值为
面波,为10/377=0. 027A/m。可以从式(6. 8)得到场jB的磁感应强度B=3.33X
-10Wb。感应电压的值10-8T。如果耦合环形面积为0.01m2 ,那么磁通为3.33X10为2πf乘以磁通,为0.2V。
例2:当一个ESD脉冲从一个10cm长的孔到达10cm外壳。外壳附近10cm2的圆环感应电压有多大?假设一个5A的脉冲，根据上升时间推得频率为300MHz。因为2nrH=5A,H等于7.96A/m。B等于10-5T。在300 MHz时半波长为0.5m。波通过孔的衰减因子为5。场B在外壳内的强度为0.2X10-5T。磁通量为0.2X10~Wb。在300MHz时感应电压为3.7V。如果这个电压进人到逻辑电平中将击穿集成电路。
